ASML, TSMC и imec продемонстрировали транзисторы на основе двумерных материалов на пластинах диаметром 300 мм с применением EUV-литографии при шаге контактов 50 нм

ASML, TSMC и imec продемонстрировали транзисторы на основе двумерных материалов на пластинах диаметром 300 мм с применением EUV-литографии при шаге контактов 50 нм.

Результаты, представленные на симпозиуме VLSI 2026 в Гонолулу, стали первым случаем формирования как n-типа, так и p-типа 2D-транзисторов методом EUV-литографии при таких топологических нормах.

Работа опирается на рекордные транзисторы на основе WSe₂, показанные на IEDM 2025, и свидетельствует о прогрессе на пути к возможной замене кремниевых каналов в передовых чипах.

Работа подчёркивает прогресс в переходе от лабораторных демонстраций к масштабируемому производству 2D-материалов (TMD — transition metal dichalcogenides) как потенциальной замены кремниевых каналов в будущих узлах (sub-2nm / angstrom era).71ff5e

Демонстрация 2D-транзисторов на базе MoS₂/WSe₂ на 300-мм пластинах с EUV-литографией при 50 нм pitch представляет собой не инкрементное развитие CMOS-технологии, а подтверждение возможности масштабируемой реализации нового класса транзисторных каналов на основе двумерных материалов, в которых кремний не используется в качестве канального материала.

https://www.imec-int.com/en/press/asml-tsmc-and-imec-bring-industry-ready-2d-material-transistors-closer-breakthrough-300mm

https://vlsi26.mapyourshow.com/8_0/sessions/session-details.cfm?scheduleid=244

https://bits-chips.com/article/asml-tsmc-and-imec-scale-2d-transistors-to-50nm-pitch-on-300mm-wafers/

Инфа есть в последней части обзора 

https://dominatingcosmicniches.blogspot.com/2026/06/vlsi-2026_01534611803.html